SCANWAVE™ PRO - 电学探测灵敏度的突破性进展

Signal to Noise comparison for ScanWave ProTM vs ScanWaveTM 1.5

应用实例

1. 轻巧模式下sMIM测量碳纳米管

生长在蓝宝石上碳纳米管 (CNT) 的sMIM图像:

对比使用 ScanWaveTM Pro 和 ScanWaveTM 1.5 测量的sMIM结果，ScanWaveTM Pro 有更强的信号和更低的噪声，从而得到更加清晰的 CNT 图像。

sMIM 可以对易碎样品在非接触模式下进行扫描成像。但是由于非接触模式下电学信号较弱，因此在实际应用上受到限制。而ScanWaveTM Pro 更高的信噪比可以在非接触模式下得到清晰的图像。

2. 半导体掺杂浓度的灵敏测量

Infineon 标准掺杂样品的 sMIM 图像：上图为sMIM-C，下图为sMIM-dC/dV。图中从左到右对应的掺杂浓度递减。对比ScanWaveTM Pro 和 ScanWaveTM 1.5 的图像，ScanWaveTM Pro 在两种测量模式下面都得到了更好的信号。尤其在低掺杂区域，其可分辨更低的载流子浓度。

3. 表面下（埋层）结构测量

对掩埋在190 nm Si3N4表面下的SiO2结构的 sMIM 成像：上图为 ScanWaveTM Pro 在 2dBm 功率下得到图像。下图为ScanWaveTM 1.5 在 -17dbm 功率下得到的图像。测量结果显示ScanWaveTM Pro具有高功率，高灵敏度和高信噪比, 从而提高了其表面下样品结构的测量能力。

在使用 ScanWaveTM 1.5 测量时, 即使在最佳操作条件下, 测量表面下特征也很困难。ScanWaveTM Pro具有较高的微波输出功率和显著增强的信号检测灵敏度, 可以很容易地检测到埋在 190 nm Si3N4表面下的 SiO2 结构。ScanWaveTM Pro即使在最低的信噪比工作条件下运行也可以给出 Scanwave™1.5 在最佳工作条件下相似的图像质量，其测量表面下掩埋结构的能力有着显著的提高。

4. 生长在氮化硼上石墨烯的摩尔纹测量

对于生长在氮化硼 (h-BN)上的单层石墨烯，由于晶格常数的不同从而出现了摩尔纹图案, 其电学性能也相应改变。下图是ScanWaveTM Pro 对于生长在氮化硼 (h-BN) 上的单层石墨烯的图像。其表面形貌无摩尔纹, 但是在 sMIM 图像中清晰地观察到摩尔纹结构。其空间分辨率可达~ 4 nm。

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